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集積回路
集積回路(しゅうせきかいろ)(IC, Integrated Circuit) は、特定の機能を果たす電気回路を一つの小型パッケージにまとめた半導体素子である。
20世紀の中頃に考案され、その後半導体製造技術の進歩により、回路規模、性能が向上してきた。
製作法は、単純に言うと、半導体基板上に、微細な回路(回路素子や配線など)を定着させる(いわば縮小印刷である)。
モノリシック集積回路(monolithic IC)は、数mm角〜10数mm角の1枚の半導体基板上に、トランジスタ、ダイオード、抵抗器などの回路素子を形成し、素子間をアルミニウム蒸着膜などの配線により結んだものである。組み立て工数が少ないため安価である。
集積値
『上極限と下極限』より : 数学において、数列 { ”an” } の上極限(じょうきょくげん)と下極限(かきょくげん)とは、”n” を無限に大きくしていったときの数列の挙動から決まる実数であり、この数列の極限に(ある意味で)なりうる値を上と下からおさえるために使われる。
数列 { ”an” } の上極限を表す記号には
:\varlimsup_{n\to\infty} a_n,\quad \limsup_{n\to\infty} a_n
の二種類がある。同様に下極限は
:\varliminf_{n\to\infty} a_n,\quad \liminf_{n\to\infty} a_n
と書く。
数列 { ”an” } の上極限は
:\varlimsup_{n\to\infty} a_n \inf_{n\in\mathbb{N}}\sup_{k\geq n} a_k
で定義される。同様に下極限は
:\varliminf_{n\to\infty} a_n \sup_{n\in\mathbb{N}}\inf_{k\geq n} a_k
で定義される。
数列 { ”an” } の上極限と下極限は(無限大をとることを許せば)必ず存在する。これは極限値が存在するかどうか分からないのと対照的である。
集積型金属錯体
集積型金属錯体(しゅうせきがたきんぞくさくたい)とは、複数の錯体 金属錯体部位を有し、かつ単核錯体では発現しない機能を有する物質群の総称。現在のところ厳密な定義づけはなされていない。複核錯体、クラスター錯体、錯体結晶、配位高分子、紺青 プルシアンブルー型錯体などが含まれる。
集積型金属錯体の機能として代表的なものに、ガス吸蔵能、包接化合物 分子包接能、電気伝導性、誘電体 強誘電性、磁性、水素#水素イオン プロトン伝導性などが挙げられる。
化学 しゆうせきかたきんそくさくたい
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